特許
J-GLOBAL ID：200903059845245355
金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019525
公開番号（公開出願番号）：特開平11-217672
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 成膜時のダスト発生によるチャンバおよび基板の汚染が少なく、充分に窒化された金属窒化物膜の化学的気相成長方法、およびこれを用いた電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】 被処理基板上の自然酸化膜24を水素活性種により還元除去した後、プラズマCVDによりWやTa等の金属膜26を形成する。この後、窒化剤としてのNH活性種等によりこれを窒化して、W2 NやTaN等の金属窒化物膜に変換する。金属膜26の形成とその窒化を複数回繰り返してもよい。【効果】 金属化合物ガスと窒化剤ガスを同時にCVDチャンバ内に導入することがないので、ハロゲン化アンモニウム等の副反応生成物のダストが軽減される。またNH活性種による窒化は反応しやすい系であり、窒化が充分になされる。
請求項（抜粋）：
金属化合物ガスを用いて、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属窒化物膜を形成する工程を有する金属窒化物膜の化学的気相成長方法であって、前記金属窒化物膜の形成工程は、前記被処理基板表面の自然酸化膜を水素活性種により還元する第1の工程、前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記被処理基板上に金属膜を形成する第2の工程、前記金属膜表面に窒素を含む活性種を照射し、前記金属膜を金属窒化物膜に変換する第3の工程、以上の工程を具備することを特徴とする金属窒化物膜の化学的気相成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/34
, H01L 21/285 C
