特許

J-GLOBAL ID：200903059866329230

半導体装置

発明者： 河路 佐智子 ,  石子 雅康 ,  堀田 幸司
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107368
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158817
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】チップ面積の増加を抑えながら半導体装置の耐圧を向上させる。【解決手段】半導体チップは、メイン素子26と、制御用素子28と、耐圧保持領域(メイン素子分離領域46、制御用素子分離領域48、ガードリング50)を備えている。耐圧保持領域46,48,50の外側周辺領域のうち、耐圧保持領域46,48,50の平面視形状のコーナー部外側の領域のみに耐圧保持領域46,48,50と同じ導電型の不純物添加領域52,56,54がそれぞれ形成されている。この構成によると、耐圧保持領域46,48,50のコーナー部への電界集中を緩和でき、この結果、耐圧を向上させることができる。しかも、不純物添加領域52,56,54は、耐圧保持領域46,48,50のコーナー部外側の領域のみに形成されているので、チップ面積の増加は小さく抑えることができる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

素子領域と、素子領域の周囲に形成された耐圧保持領域を備えた半導体装置であって、 耐圧保持領域の外側周辺領域のうち、耐圧保持領域の平面視形状のコーナー部外側の領域のみに耐圧保持領域と同じ導電型の不純物添加領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 656F ,  H01L29/78 658A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-017303   出願人：日本電気株式会社, 関西日本電気株式会社
• 特開昭57-180164
  
• 埋込み電界整形領域を有する高電圧終端
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-354748   出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
• 特開平1-272151
  
• 特開昭57-073932