特許
J-GLOBAL ID：200903059872184783

半導体装置

発明者：
神田 和重

神田 和重 について

, 
中村 寛

中村 寛 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174091
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】回路性能を落とすことなく比較的容易にアナログ回路における最低動作電源電圧を低下させることができる半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】LVTトランジスタのしきい値検知回路11によって、MOSトランジスタのしきい値電圧を変えるためのイオン注入が行われているか否かを検知し、この検知回路で検知した結果に応じて、LVTトランジスタ使用回路12の少なくとも一部を切り換えることを特徴としている。これによって、回路性能を落とすことなくアナログ回路における最低動作電源電圧VCCminを低下できる。
請求項（抜粋）：
しきい値電圧をイオン注入の有無により変えることができるようにレイアウトパターン化されたNチャネル型MOSトランジスタ及びPチャネル型MOSトランジスタの少なくとも一方を用いた半導体装置であって、イオン注入の有無を検出する検出手段と、前記検出手段で検出した結果に応じて、イオン注入が行われたMOSトランジスタを含む回路の少なくとも一部を切り換える切換手段とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/0948
FI (5件)：
H01L 27/04 M ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 27/08 321 Z ,  H01L 21/82 S ,  H03K 19/094 B
Fターム (35件)：
5F038AV06 ,  5F038AV13 ,  5F038AV15 ,  5F038BB01 ,  5F038DF06 ,  5F038DT17 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB18 ,  5F064BB07 ,  5F064BB19 ,  5F064BB22 ,  5F064BB24 ,  5F064CC12 ,  5F064CC22 ,  5F064FF08 ,  5F064FF12 ,  5F064FF27 ,  5F064FF28 ,  5F064FF36 ,  5F064GG01 ,  5J056AA03 ,  5J056BB17 ,  5J056BB18 ,  5J056BB19 ,  5J056BB49 ,  5J056CC01 ,  5J056DD29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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