特許
J-GLOBAL ID：200903059876559200

半導体記憶装置

発明者：
小松 宏二

小松 宏二 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067067
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269789
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】主メモリセルからのデータ信号と、ダミーメモリセルからのダミーデータ信号の差を差動増幅器から更に速やかに出力させることが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1及び第2ダミーメモリセルアレイDMY1,DMY2の回路パターンをメモリセルアレイMEMのものに可能な限り近似させ、これらのメモリセルアレイのメモリセルを選択するときには、主メモリセルMの行列位置、ダミーメモリセルDM1の行列位置、ダミーメモリセルDM2の行列位置を相互に一致させる。これによって、各メモリセルの信号伝送経路の時定数を相互に一致させることができ、差動増幅器SAからは、データ信号線DLの電位と第1及び第2参照電圧線RL1,RL2のいずれかの電位の差が速やかに出力される。
請求項（抜粋）：
主データを記憶した主メモリセルと、ダミーデータを記憶したダミーメモリセルとを備え、主メモリセル及びダミーメモリセルから主データとダミーデータを読み出し、これらのデータの比較から主データを判定して出力する半導体記憶装置において、複数の主メモリセルをマトリクス状に配列した主メモリセルアレイと、複数のダミーメモリセルをマトリクス状に配列したダミーメモリセルアレイとを備え、主メモリセルアレイの回路パターンと、ダミーメモリセルアレイの回路パターンを略同一にした半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112
FI (3件)：
G11C 17/00 624 ,  G11C 17/00 634 E ,  H01L 27/10 433
引用特許：
審査官引用 (4件)
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