特許
J-GLOBAL ID：200903059880949837

基板製作工程に関する改良された終点検出

発明者：
スイ ツィーフェン

スイ ツィーフェン について

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ルーシャー ポール イー

ルーシャー ポール イー について

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ジョハンソン ニルス

ジョハンソン ニルス について

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ウェルチ マイケル ディー

ウェルチ マイケル ディー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559582
公開番号（公開出願番号）：特表2003-521807
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2003年07月15日
要約：
【要約】基板(20)はプロセスチャンバ(42)内において処理され、基板の処理以前または処理期間中または処理後に発生する第1処理条件が検出される。第1処理条件の精度または妥当性は第2処理条件を検出することによって決定される。
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバ内において基板を処理し、前記プロセスチャンバ内における処理条件を検出する方法であって、 (a)前記プロセスチャンバ内に前記基板を置き、かつ前記基板を処理するステップと、 (b)第1処理条件および第2処理条件を検出するステップとを含み、前記第1および第2処理条件が前記基板の処理以前または処理期間中または処理後に発生し、 (c)前記第2処理条に対して前記第1処理条件を評価するステップと を含む方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/54 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
C23C 16/52 ,  C23C 16/54 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/302 E
Fターム (40件)：
4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA20 ,  4K030KA39 ,  4M106AA13 ,  4M106DH03 ,  4M106DH55 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004BD07 ,  5F004CB16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB02 ,  5F004DB04 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB09 ,  5F004DB17
引用特許：
審査官引用 (4件)
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