特許

J-GLOBAL ID：200903059888850198

高圧処理方法および高圧処理装置

発明者： 吉川 哲也 ,  井上 陽一 ,  渡邉 克充 ,  増田 薫 ,  飯島 勝之 ,  岩田 智巳 ,  村岡 祐介 ,  斉藤 公続 ,  溝端 一国雄
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-307349
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146457
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】超臨界流体を用いて半導体ウエハなどの高圧処理を行うに際して、効率が良く、均一性に優れた高圧処理方法および高圧処理装置を提供する。【解決手段】超臨界あるいは亜臨界状態の流体を用いて被処理体2に高圧処理をする高圧処理方法において、前記流体を、高圧処理室9に配置された被処理体2の表面2aに衝突させた後、被処理体2の表面2aに沿って被処理体2の外方に向けて流通させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高圧流体を用いて被処理体(2)に高圧処理をする高圧処理方法において、 前記高圧流体を、高圧処理室(9)に配置された被処理体(2)の表面(2a)に衝突させた後、被処理体(2)の表面(2a)に沿って被処理体(2)の外方に向けて流通させることを特徴とする高圧処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B08B7/00

FI (3件)：

H01L21/304 641 ,  H01L21/304 651Z ,  B08B7/00

Fターム (8件)：

3B116AA01 ,  3B116AB33 ,  3B116AB47 ,  3B116AB53 ,  3B116BB22 ,  3B116BB62 ,  3B116BB90 ,  3B116CC03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 超臨界乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248672   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-073626
  
• 超臨界乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-141273   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (3件)

• 超臨界乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248672   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開昭63-073626
  
• 超臨界乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-141273   出願人：日本電信電話株式会社