特許
J-GLOBAL ID：200903059890274145

半導体装置の製造方法

発明者：
浦上 泰

浦上 泰 について

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山内 庄一

山内 庄一 について

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榊原 利夫

榊原 利夫 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167822
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351865
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ内を埋め込むエピタキシャル膜の結晶性を良好にすると共に、「す」と呼ばれる空洞状の埋め込み不良を抑制する。【解決手段】 シリコン酸化膜2の所定領域に開口部を形成したのち、開口部を通じてシリコン基板1をエッチングし、シリコン基板1にトレンチ3を形成する。そして、トレンチ3を形成したのち、シリコン酸化膜2に形成された開口部の開口幅がトレンチ3の開口幅よりも広がり、シリコン酸化膜2の開口端がトレンチ3の内壁面よりも後退するようにシリコン酸化膜2をエッチングする。この後、トレンチ3内を含み、シリコン基板1の上にエピタキシャル膜を成長させ、さらにエピタキシャル膜の表面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)を用意する工程と、前記半導体基板の表面上にマスク材(2)を配置する工程と、前記マスク材の所定領域に開口部を形成したのち、前記開口部を通じて前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板にトレンチ(3)を形成する工程と、前記トレンチを形成したのち、前記マスク材に形成された開口部の開口幅が前記トレンチの開口幅よりも広がり、前記マスク材の開口端が前記トレンチの内壁面よりも後退するように前記マスク材をエッチングする工程と、前記トレンチ内を含み、前記半導体基板の上にエピタキシャル膜を成長させる工程と、前記エピタキシャル膜の表面を平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 B
Fターム (29件)：
5F004AA04 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043BB03 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043FF01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CB06 ,  5F045GH09 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16 ,  5F052DA01 ,  5F052FA21 ,  5F052GC03 ,  5F052JB10 ,  5F052KA05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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