特許

J-GLOBAL ID：200903059902832939

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037490
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307783
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 結晶性の高い半導体薄膜を作製する方法を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコン膜102上にゲルマニウム膜103を成膜した状態で、 450〜600 °Cの第1の加熱処理(結晶化工程)を行う。次に、この結晶化工程で得られたポリシリコン膜104に対して、前記結晶化温度以上の温度( 800〜1050°C)で第2の加熱処理を行う。この工程により下地/シリコン界面が固着され、結晶粒内に欠陥を殆ど含まないポリシリコン膜105を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成された複数のTFTで構成した回路を構成に含む半導体装置であって、前記複数のTFTのチャネル形成領域はポリシリコン膜からなり、前記ポリシリコン膜は結晶粒界において90%以上の結晶格子に連続性を有し、且つ、 1×1014〜 5×1019atoms/cm3 の濃度で14族から選ばれた元素を含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-299720   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166115   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-299720   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166115   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所