半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349734
出願日： 1993年06月12日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】非晶質珪素膜を600度以下の低温で結晶化させる。【構成】非晶質珪素膜に3族または、4族、または5族より選ばれた1種または複数種の元素を導入し、600度以下の加熱によって結晶化させる。この結晶化は、前記元素が導入された領域から基板に平行な方向に行われる。例えば、100の領域に上記微量元素を導入すると、105で示すように結晶成長が行われ、該結晶成長領域を利用して半導体デバイス、例えばTFTを形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された結晶性を有する非単結晶珪素半導体膜を利用した半導体装置であって、前記結晶性珪素半導体膜は、結晶化を促進させるための元素として、3族、4族、5族、の元素から選ばれた1種または複数種の元素が添加され、かつ該添加領域から基板に平行な方向に結晶成長が行われており、前記基板に平行な方向に結晶成長が行われた領域を利用して薄膜半導体装置が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196807 出願人：富士ゼロツクス株式会社
結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302951 出願人：日本電気株式会社

全件表示

審査官引用 (13件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196807 出願人：富士ゼロツクス株式会社
結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302951 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る