特許

J-GLOBAL ID：200903059904397040

磁気記憶素子およびこの磁気記憶素子を備えた磁気メモリならびに磁気メモリの駆動方法

発明者： 北 川 英 二 ,  吉 川 将 寿 ,  岸 達 也 ,  與 田 博 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-224012
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047257
出願日： 2006年08月21日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】読み出し時に誤書き込みを防止することを可能にする。 【解決手段】磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きい。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

磁化の向きが固着された磁化固着層と、磁化の向きが可変の磁気記憶層と、前記磁化固着層と前記磁気記憶層との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、前記磁気記憶層に電流パルスを流してスピン偏極した電子を注入することにより前記磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセルを備えた磁気メモリの駆動方法であって、 前記磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、前記磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きいことを特徴とする磁気メモリの駆動方法。

IPC (5件)：

G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

G11C11/15 150 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z

Fターム (33件)：

4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD32 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD28 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB51 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC31 ,  5F092BC38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375090   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-139013   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-138429   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Inspection of Intrinsic Critical Currents for Spin-Transfer Magnetization Switching