特許
J-GLOBAL ID：200903059905422430
パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 江口 昭彦
, 杉浦 秀幸
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-317596
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153075
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】絶縁性基板及び放熱体の双方の熱膨張係数差に拘わることなく、反りを低減できると共に、熱伝導率が低下するのも抑制できること。【解決手段】放熱体16の放熱体本体17に低熱膨張材18が積層される。放熱体本体17は、例えばAl、Cu等のような熱伝導率の良好な材質、いわゆる高熱伝導材で形成され、低熱膨張材18は、放熱体本体17の熱膨張係率より低い熱膨張率の材質、例えばインバーからなる。低熱膨張材18には、これを貫通する孔19が複数穿設される。孔19は、低熱膨張材18において、絶縁基板11と対応領域に穿設される数が少なく、その対応領域の周辺領域に穿設される数を多くして、断面積が大きくなっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に接合される放熱体とを備えたパワーモジュール用基板において、
前記放熱体は、放熱体本体に該放熱体本体の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材を積層して構成され、該低熱膨張材にはこれを貫通する孔が穿設されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/36 D
, H01L23/36 M
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BB21
, 5F036BD01
