特許
J-GLOBAL ID：200903059925451266

半導体集積回路

発明者：
川野 光一

川野 光一 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-164818
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004038
出願日： 2007年06月22日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】 不揮発性メモリを効率的に使用することができ、かつ書き換えの利便性を向上させた半導体集積回路を提供する。 【解決手段】 マイクロコントローラとレジスタと、プログラムデータとトリミングデータとが混在して格納されるフラッシュメモリと、プログラムデータやトリミングデータの書込みあるいは読出しを制御する制御回路とを備えた半導体集積回路において、フラッシュメモリの初期化要求の信号を検知し、初期化前に、フラッシュメモリからトリミングデータを読出し、レジスタに書込む制御を行うとともに、フラッシュメモリの初期化後に、レジスタのトリミングデータを読出し、フラッシュメモリに書込む制御を行う制御回路を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マイクロコントローラと、揮発性メモリと、前記マイクロコントローラを制御するプログラムデータと前記揮発性メモリに書込む制御データとが混在して格納されるブロック毎にデータの消去、書込みが可能な不揮発性メモリと、前記プログラムデータ及び前記制御データの書込みあるいは読出しを制御する制御回路と、あるいはさらに別の記憶装置とを備えた半導体集積回路において、 前記制御回路は、前記不揮発性メモリの初期化要求の信号を検知し、初期化前に、前記不揮発性メモリから前記制御データを読出し、該読出した制御データを前記揮発性メモリあるいは前記別の記憶装置に書込む制御を行うとともに、前記不揮発性メモリの初期化後に、前記揮発性メモリあるいは前記別の記憶装置から前記制御データを読出し、該読出した制御データを前記不揮発性メモリに書込む制御を行うことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (1件)：
G11C 16/02
FI (3件)：
G11C17/00 601E ,  G11C17/00 611G ,  G11C17/00 613
Fターム (15件)：
5B125BA01 ,  5B125CA07 ,  5B125DA09 ,  5B125DB01 ,  5B125DC03 ,  5B125DD04 ,  5B125DE11 ,  5B125DE13 ,  5B125EA10 ,  5B125EG14 ,  5B125EJ02 ,  5B125EJ03 ,  5B125EK01 ,  5B125FA01 ,  5B125FA04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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