特許

J-GLOBAL ID：200903059934697162

半導体装置

発明者： 野崎 千晴 ,  天野 実 ,  西川 幸江 ,  杉浦 政幸 ,  野田 隆夫 ,  佐々木 晶 ,  芦沢 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270467
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 電極からの金属元素の拡散を防止し、素子特性の制御性、面内均一化、素子寿命に優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】 半絶縁性基板101上にバッファ層102を介してチャネル層103が形成され、このチャネル層103上にはスペーサ層104を介して電子供給層105、ショットキーコンタクト層106が順に積層して形成されており、このショットキーコンタクト層106内部にはゲート電極111の金属元素の拡散を防止する拡散防止層107が形成された構造となっている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板上に形成されたチャネル層と、このチャネル層上に形成され、ゲート電極とショットキーコンタクトを形成するショットキーコンタクト層と、ショットキーコンタクト層の一部に形成され、前記ゲート電極を構成する金属の前記チャネル層への拡散を防止する拡散防止層とを含む電界効果トランジスタを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/48 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-074765
  
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-031626   出願人：住友電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210192   出願人：日本電気株式会社