半導体基板および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096492
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293589
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【構成】 CZ-Siウェーハに2段階熱処理を施して酸素析出物2を形成後、冷却時の熱応力により表面近傍に転位群5を形成する。このウェーハを基板1とし、酸化シリコン膜3をつけたもう一つのウェーハを貼り合わせ、貼り合わせウェーハを研削、研磨してSOI層4を形成する。【効果】基板に酸素析出物と転位を導入しているため、重金属不純物を効率よくゲッタリングできる。また、貼り合わせSOIウェーハの内部に欠陥が埋め込まれているため、その後のプロセスにおいて欠陥が除去されることがなく、ゲッタリング効果が持続する。

請求項（抜粋）：

酸素析出物を有する基板を用いた貼り合わせSOI(Silicon On Insulator)基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/322

FI (3件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (11件)

シリコン基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-258413 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
特開平3-214773
シリコンウェハの熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-198942 出願人：川崎製鉄株式会社

全件表示

前のページに戻る