特許

J-GLOBAL ID：200903060009409813

半導体発光装置および半導体発光装置組立体

発明者： 伊藤 靖 ,  名田 直司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014893
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200969
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】発光特性の経時劣化を防止しつつ光取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】LEDチップ2とキャップ52との間に、遮蔽膜51を設ける。LEDチップ2とキャップ52との間での元素の移動が抑制され、LEDチップ2内の金属元素(p型電極25および熱伝導性接着剤33に含まれる金属元素)とキャップ52内の硫黄またはハロゲン元素との反応が回避される。また、遮蔽膜51の屈折率が所定の条件式を満たすと、LEDチップ2とキャップ部52との間の屈折率差が緩和され、LEDチップ2から外部へと向かう際のフレネル反射が低減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属元素を含む半導体発光素子と、 硫黄(S)またはハロゲン元素を含むと共に前記半導体発光素子からの光を透過可能な材料からなるキャップ部と、 前記半導体発光素子と前記キャップ部との間に設けられ、前記半導体発光素子からの光を前記キャップ部へ透過させると共に前記半導体発光素子側と前記キャップ部側との間を遮蔽する遮蔽膜と を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (23件)：

5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA42 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA55 ,  5F041DA58 ,  5F041DC23 ,  5F041DC83 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2989787号公報
  
• 特許第3155925号公報
  
• 特許第3439582号公報
  
• 特許第3491660号公報
  

審査官引用 (4件)

• 発光素子の汚染の低減
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-242911   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
• 特開平1-223780
  
• 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-195074   出願人：日亜化学工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-299663   出願人：スタンレー電気株式会社