薄膜トランジスタを有する電子装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津軽進
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-549076
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500829
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：

【要約】AMLCDのような大面積電子装置が、マトリクスにおけるスイッチングTFT(TP)と周辺駆動回路における回路TFT(TS)とを有している。両TFT(TP,TS)は電界解放領域(130)を有し、該領域は、ドレイン領域(113)よりも低いドーピング濃度(N-)を有すると共に、チャンネル領域(111)とドレイン領域(113)との間に存在する。この電界解放領域(130)は、その長さの少なくとも殆どにわたり、回路TFT(TS)におけるゲート(121)と重なり合って、該電界解放領域(130)における直列抵抗をゲート(121)との導電率変調により低減する。しかしながら、スイッチングTFT(TP)におけるドレイン領域(113)は、電界解放領域(130)の長さの少なくとも殆どにより、ゲート(121)との重なりからオフセットされている。この電界解放オフセットは、スイッチングTFT(TP)が回路TFT(TS)よりも少ない漏れ電流しか有さないことを可能にする。

請求項（抜粋）：

基板上に、薄膜スイッチングトランジスタのスイッチングマトリクスと、該マトリクスの前記スイッチングトランジスタに結合された薄膜回路トランジスタを有する周辺駆動回路とを有する電子装置において、前記薄膜スイッチングトランジスタ及び回路トランジスタの両方が結晶質半導体膜に隣接して該半導体膜における或る導電型のソース及びドレイン領域の間の該或る導電型の導電チャンネルを制御するための絶縁ゲートを有し、前記ドレイン領域よりも低い前記或る導電型のドーピング濃度を有する電界解放領域が前記導電チャンネルと前記ドレイン領域との間に存在し、前記回路トランジスタの少なくとも幾つかにおいては前記電界解放領域の少なくとも殆どが前記ゲートと重なり合って、該電界解放領域における直列抵抗を前記ゲートとの導電率変調により減少させ、前記マトリクスの前記スイッチングトランジスタにおける前記ドレイン領域は前記電界解放領域の少なくとも殆どにより前記ゲートとの重なりからオフセットされて、前記スイッチングトランジスタがゲートの重なりを有する前記回路トランジスタよりも少ない漏れ電流を有するようにしたことを特徴とする電子装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

アクティブマトリクス液晶ディスプレイおよびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-119961 出願人：三菱電機株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法並びにそれを用いた入力または出力デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-342239 出願人：カシオ計算機株式会社
表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-301337 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る