特許
J-GLOBAL ID:200903060048788368

エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 昭彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-131796
公開番号(公開出願番号):特開2003-332080
出願日: 2002年05月07日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、撥液性処理による各々の層との境界における隙間や、膜厚ムラを要因とする不具合を防止するEL素子を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも第1電極層を有する基板と、前記第1電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第1電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2電極層とを有することを特徴とするEL素子を提供する。
請求項(抜粋):
少なくとも第1電極層を有する基板と、前記第1電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第1電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2電極層とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子。
IPC (4件):
H05B 33/22 ,  B01J 35/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (4件):
H05B 33/22 Z ,  B01J 35/02 J ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (16件):
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04B ,  4G069BA22B ,  4G069BA48A ,  4G069CD10 ,  4G069EA08 ,  4G069EC22Y ,  4G069ED02 ,  4G069FB23
引用特許:
審査官引用 (4件)
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