半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012730
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218350
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】高エネルギー線被爆によるソフトエラーに対する耐性を強化させ、且つ、微細MOSトランジスタの高性能化を実現する。【解決手段】高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。該中間領域をソース又はドレイン形成用拡散窓と共有して行うことにより、廉価で且つ均一濃度・均一幅の中間層を実現できる。

請求項（抜粋）：

所定の主表面を有する第1導電型不純物を含む半導体基板に、深い接合と浅い接合よりなる第2導電型不純物を有する高濃度不純物領域が構成されてpn接合を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記第1導電型不純物領域と前記第2導電型不純物領域の間に、前記第1導電型不純物領域の不純物濃度より高い不純物濃度の第1導電型不純物の中間領域が形成され、且つ、前記浅い接合の第2導電型不純物を有する高濃度不純物領域が前記中間領域の少なくとも一部より前記半導体基板の第1導電型不純物領域に突出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 655 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 21/8242 , H01L 21/8244 , H01L 27/092 , H01L 27/108 , H01L 27/11

FI (9件)：

H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 L , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 671 Z , H01L 27/10 691 , H01L 27/08 321 E , H01L 27/10 381

Fターム (65件)：

5F048AA06 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F083AD01 , 5F083AD28 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA18 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083NA01 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA09 , 5F140AA10 , 5F140AA13 , 5F140AA18 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BC17 , 5F140BD01 , 5F140BD10 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH34 , 5F140BH36 , 5F140BH39 , 5F140BH50 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ13 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-274329
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-178950 出願人：株式会社リコー
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-012405 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る