特許

J-GLOBAL ID：200903060053694380

SOI基板の作製方法およびSOI基板

発明者： 阿賀 浩司 ,  三谷 清 ,  小林 徳弘 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257758
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084101
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 SOI層中のCOP密度の低いSOI基板、特にはSOI層の厚さが1ミクロン以下の薄膜SOI基板の作製方法を提供する。【解決手段】 少なくとも第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成し、第2のシリコン単結晶基板と該酸化膜を介して密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、第1のシリコン単結晶基板を薄膜化するSOI基板の作製方法において、第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する前に、1100°Cを越える温度の高温熱処理を行うか、前記第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する酸化温度は、1100°Cを越える温度とし、酸化膜厚を700nm以上とするか、前記第1のシリコン単結晶基板の表面に形成する酸化膜の膜厚を200nm以下とすることを特徴とするSOI基板の作製方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成し、第2のシリコン単結晶基板と該酸化膜を介して密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、第1のシリコン単結晶基板を薄膜化するSOI基板の作製方法において、第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する前に、該基板に1100°Cを越える温度の高温熱処理を行うことを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 貼合せ半導体ウェハとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-250154   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 貼り合わせSOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-051818   出願人：コマツ電子金属株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 「多層集積技術動向に関する調査研究報告書III」, 199408, pp.II-28-II-37