半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304100
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148676
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】低温で高純度の窒化けい素膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 ECR装置に6Nの固体Siをターゲットとしてセットし、窒素ガスおよびアルゴンガスを導入しながらECRプラズマを起こす。このときの温度は200°C以下である。ECRプラズマによりSiとNが効率よく反応し、基板上に堆積し、SiN 膜を製造できる。このようにECRプラズマを用いたSiN膜の製造方法により高純度の固体Siを用いているので当然高純度のSiN膜を低温で堆積でき、基板にはダメージを与えず、堆積されたSiNは非常に平坦である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザであって、前記半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方が構成元素に珪素と窒素を含む第一の絶縁物と、前記第一の絶縁物上に堆積された第二の絶縁物によって形成されていることを特徴をする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01S 3/18 , H05H 1/46 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

光半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-139470 出願人：キヤノン株式会社
特開平3-145175
半導体レーザー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-189243 出願人：株式会社日立製作所

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