窒化物半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151392
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224969
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 n導電側のコンタクト層やGaN基板等のレーザ導波路以外での光の伝播を抑制し、ファーフィールドパターン及びニヤーフィールドパターンが良好となる窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】異種基板1上に異種基板1より屈折率が大きい第1の窒化物半導体層101、第1の窒化物半導体層より屈折率が小さい第2の窒化物半導体層102、第2の窒化物半導体層102よりも屈折率が大きい活性層103を順に積層してなる素子の第2の窒化物半導体層102と異種基1板との間に光吸収層105を設ける、あるいは異種基板1に光吸収性を持たせる。又GaN基板に形成されたレーザ素子の素子構造を有していない面に光吸収膜を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる異種基板上に、異種基板より屈折率が大きい第1の窒化物半導体層と、その上に第1の窒化物半導体層より屈折率が小さい第2の窒化物半導体層と、その上に第2の窒化物半導体層よりも屈折率が大きい活性層とが積層された構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記第2の窒化物半導体層と異種基板との間に活性層を含むレーザ導波路から漏れ出した光を吸収できる材料よりなる光吸収層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-057842 出願人：ソニー株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039646 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-188569 出願人：ソニー株式会社

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