特許
J-GLOBAL ID：200903060073917318
高電気比抵抗磁気抵抗膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307441
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094175
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【目的】本発明は、室温においてMR比の値が3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し、105μΩcm以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗磁気抵抗膜を提供することを目的とする。【構成】 フッ化物からなる絶縁物マトリックスにナノメーターサイズの磁性グラニュールが分散したナノグラニュラー合金薄膜であることを特徴とし、室温で3%以上の磁気抵抗比を示し105μΩcm以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗磁気抵抗膜。
請求項（抜粋）：
絶縁物マトリックスに、ナノメーターサイズの磁性グラニュールが分散したナノグラニュラー合金薄膜において、絶縁物マトリックスが、ベリリウム,マグネシウム,アルミニウム,カルシウムあるいはバリウムから選ばれる1種または2種以上の元素のフッ化物と不可避の不純物からなり、磁性グラニュールが鉄,コバルトあるいは鉄とコバルトとの合金と不可避の不純物からなることを特徴とし、室温で3%以上の磁気抵抗比を示し、且つ105μΩcm以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗磁気抵抗膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AD53
, 2G017AD55
, 2G017AD65
