特許
J-GLOBAL ID：200903060079876052

量子カスケードレーザ

発明者：
関根 徳彦

関根 徳彦 について

, 
平川 一彦

平川 一彦 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-181502
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010733
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】遠赤外領域もしくはテラヘルツ領域で発振する量子カスケードレーザを実現する。レーザ活性層におけるキャリアの注入・引抜きを効率よく行う基本構造を提供して、大きな利得を実現し、さらに熱によるキャリアのバックフィリングを抑制して、低閾値や連続発振動作、高温動作を実現する。【解決手段】4準位系のレーザ準位を備える活性層が、キャリア注入層、利得領域、およびキャリア引抜き層からなり、キャリア注入層と引抜き層に、利得領域よりも高速な緩和を伴う層を用いて反転分布を改善する。それらの層での高速な緩和は、主に、キャリア引抜き層の緩和レベル差と光学フォノンのレベルを揃えることによる緩和とするか、外部からレーザ光を照射することで誘導放射を引き起こすことによる緩和とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サブバンド間の遷移で発振する多重量子井戸型半導体レーザにおいて、4準位系のレーザ準位を備える活性層が、キャリア注入層、利得領域、およびキャリア引抜き層からなり、キャリア注入層とキャリア引抜き層に、上記の利得領域よりも高速な緩和を伴う層を用いることにより高い光学利得を実現することを特徴とする量子カスケードレーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343
Fターム (9件)：
5F173AB33 ,  5F173AB50 ,  5F173AF20 ,  5F173AH02 ,  5F173AP09 ,  5F173AR02 ,  5F173AR23 ,  5F173AR75 ,  5F173AS10
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210113   出願人：キヤノン株式会社
  • 単極性半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-078049   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
  • 量子カスケ-ド半導体レ-ザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-176613   出願人：株式会社エイ・ティ・アール環境適応通信研究所

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