特許
J-GLOBAL ID：200903099852535506

素子

発明者：
関口 亮太

関口 亮太 について

, 
尾内 敏彦

尾内 敏彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210113
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032691
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 室温で、ミリ波帯からテラヘルツ帯(30GHz〜30THz)の周波数領域における電流注入型の光半導体素子および半導体レーザ素子が求められていた。【解決手段】 そこで、本発明は、光と相互作用することで許容されるトンネリングを利用することにより、効率的に光と相互作用する素子を提供するものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ポテンシャル障壁と量子井戸とを備える多重量子井戸と、 前記多重量子井戸に電界を印加するための手段とを有する素子において、 前記多重量子井戸は少なくとも2つの領域Aの間に領域Bを含み、 前記領域Aは複数のエネルギー準位を含み、前記領域Aにおける特定のエネルギー準位iからポテンシャル障壁を介した特定のエネルギー準位fへ、キャリアが光と相互作用することで許容されるトンネリングによって輸送され、 前記領域Bは複数のエネルギー準位を含み、前記領域Bにおける特定のエネルギー準位eから特定のエネルギー準位gへ、前記領域Aにおけるキャリアの輸送時間より短い緩和時間でエネルギー緩和され、 前記多重量子井戸に所定の電界が印加されたときに、前記多重量子井戸に電流が流れ、前記領域Aにおいて光を放出あるいは吸収することを特徴とする素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 31/026
FI (2件)：
H01S5/343 ,  H01L31/08 L
Fターム (16件)：
5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088BA04 ,  5F088CB01 ,  5F088DA05 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088FA12 ,  5F088GA05 ,  5F088LA09 ,  5F173AF03 ,  5F173AH30 ,  5F173AK12 ,  5F173AP09 ,  5F173AR02 ,  5F173AR75
引用特許：
審査官引用 (4件)
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