特許
J-GLOBAL ID：200903060082534561

超音波トランスデューサおよびその製造方法

発明者：
町田 俊太郎

町田 俊太郎 について

, 
榎本 裕之

榎本 裕之 について

, 
只木 芳隆

只木 芳隆 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-096615
公開番号（公開出願番号）：特開2007-274279
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】下部電極を各素子に分割することで段差が生じても、上部電極の抵抗上昇、メンブレンへのダメージおよび上部電極と下部電極間の絶縁耐性低下を低減する技術を提供する。【解決手段】複数の下部電極203と、下部電極を覆う絶縁膜204と、絶縁膜204上に下部電極203と重なるように形成された複数の空洞部205と、空洞部205の間を埋める絶縁膜3401と、空洞部205および絶縁膜3401を覆う絶縁膜206と、絶縁膜206上に空洞部205と重なるように形成された複数の上部電極207とそれらを結ぶ複数の配線208を備えた超音波トランスデューサにおいて、空洞部205と絶縁膜3401の表面が同じ高さに平坦化されている。【選択図】図34
請求項（抜粋）：
(a)第1電極と、 (b)前記第1電極を覆う第1絶縁膜と、 (c)前記第1絶縁膜上に前記第1電極と重なるように配置された空洞部と、 (d)前記空洞部を覆う第2絶縁膜と、 (e)前記第2絶縁膜上に前記空洞部と重なるように配置された第2電極と、 (f)前記第2電極に接続された配線を備え、 前記第1電極の外周部と上面から見て重なる前記配線の幅が、前記第1電極の外周部と上面から見て重ならない前記配線の幅よりも太いことを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (1件)：
H04R 17/00
FI (2件)：
H04R17/00 330H ,  H04R17/00 330G
Fターム (1件)：
5D019BB28
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6320239B1号明細書
  • 米国特許第6271620B1号明細書
  • 米国特許第6571445B2号明細書
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審査官引用 (4件)
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