半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349194
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】低コストで信頼性を確保することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子の外部接続用の電極2が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、電極形成面上に樹脂膜を貼付して樹脂層3を形成し、この樹脂層3にレーザ照射により電極2の位置に対応して樹脂層3を貫通する貫通孔3aを形成する。そして貫通孔3a内にクリーム半田5を充填した後半田ボール6を搭載しリフローにより電極2と導通する導電部7を形成する。これにより、充分な厚さを備えた樹脂層を形成して信頼性に優れた半導体装置を低コストで製造することが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体素子の少なくとも外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記電極形成面上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層にレーザ照射により前記電極位置に対応して前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、この貫通孔内に前記電極と導通する導電部を形成する導電部形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 , H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 23/12 L , H01L 23/28 Z , H01L 21/92 602 L

Fターム (9件)：

4M109AA02 , 4M109BA03 , 4M109CA05 , 4M109CA22 , 4M109DA07 , 4M109DA10 , 4M109DB17 , 4M109ED02 , 4M109ED03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体パッケージ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235416 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199059 出願人：株式会社東芝
特開平1-161850

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