特許

J-GLOBAL ID：200903060105840720

ショットキバリアを有する半導体装置

発明者： 松崎 明彦
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407651
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167149
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 ショットキバリアダイオードの高耐圧化を、順方向電圧降下の増大及び逆回復時間の増大を抑制して達成することが困難であった。【解決手段】 N型半導体領域14とカソード側N+型半導体領域15とを有する半導体基板10を用意する。基板10におけるショットキバリア電極として機能する第1の電極11の形成予定領域に、複数の内側P型半導体領域16を形成し、これ等を囲む部分にガードリングとして機能する外側P型半導体領域17a、17b、17cを形成する。複数の内側P型半導体領域16の相互間にアノード側N+型半導体領域18を配置する。第1の電極11を内側P型半導体領域16にオーミック接触させ、アノード側N+型半導体領域18にショットキバリア接触させる。内側P型半導体領域16の内部全体に空乏層が広がるように、内側P型半導体領域16及びN+型半導体領域18の不純物濃度及び寸法を設定する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と第1及び第2の電極とを備え、 前記基板は、 該基板の一方の主面に露出する部分を有するように配置された第1導電型の第1の半導体領域と、 前記第1の半導体領域と前記基板の他方の主面との間に配置され且つ前記第1の半導体領域よりも高い不純物濃度を有している第1導電型の第2の半導体領域と、 断面形状において、前記基板の一方の主面から前記第1の半導体領域の中に延びており且つ所定の相互間隔を有している複数の領域又は複数の部分から成る第2導電型の第3の半導体領域と、 平面的に見て前記第3の半導体領域の外側を前記第1の半導体領域を介して連続的又は断続的に囲むように配置され且つ前記基板の一方の主面から前記第1の半導体領域の中に延びている第2導電型の第4の半導体領域と を有し、 前記第1の電極は、前記基板の一方の主面上に配置されて前記第1の半導体領域にショットキ接触し且つ前記第3の半導体領域にオーミック接触し、 前記第2の電極は、前記第2の半導体領域に電気的に接続され、 前記第3の半導体領域の不純物濃度及び幅は、前記第1及び第2の電極間に定格の逆方向電圧又は許容最大逆方向電圧が印加された時に前記第3の半導体領域の内部の全体に空乏層が広がるように決定され、 前記複数の第3の半導体領域の相互間又は前記第3の半導体領域の複数の部分の相互間の幅は、前記第1及び第2の電極間に定格の逆方向電圧又は許容最大逆方向電圧が印加された時に前記相互間の全部に空乏層が広がるように決定されていることを特徴とするショットキバリアを有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (2件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 D

Fターム (9件)：

4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ショットキバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-203031   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (5件)

• 特開平3-024767
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-236905   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-357648   出願人：日本インター株式会社
• 特開昭60-074582
  
• ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-042535   出願人：新電元工業株式会社