特許

J-GLOBAL ID：200903060109477301

半導体レーザ装置および光ピックアップ装置

発明者： 矢島 浩義 ,  長谷川 義晃 ,  木戸口 勲 ,  北岡 康夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-281831
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100376
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】GaN系レーザにおいて、薄型PC等に搭載可能な薄型で放熱性に優れたレーザパッケージを実現し、且つ光学部品等を最小限に留めた低コストの光ピックアップでの構成を提供することを目的とする。【解決手段】長手方向を有するキャン6と、キャン6の主面側に位置する、積層構造を持つ窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子1と、を有し、前記キャン6の長手方向と、前記窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子1の積層方向が同一方向であることを特徴とするように構成したものである。これにより、薄型化・高放熱の半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

長手方向を有するキャンと、 キャンの主面側に位置し、積層構造を持つ窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子と、 を有し、 前記キャンの長手方向と、前記窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の積層方向とが略平行である、半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125

FI (2件)：

H01S5/022 ,  G11B7/125 A

Fターム (32件)：

5D789AA02 ,  5D789AA33 ,  5D789AA41 ,  5D789BA01 ,  5D789EC45 ,  5D789EC47 ,  5D789FA05 ,  5D789FA08 ,  5D789FA28 ,  5D789FA32 ,  5D789FA35 ,  5D789LB04 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AL13 ,  5F173AP04 ,  5F173AP33 ,  5F173AP76 ,  5F173AP82 ,  5F173AP92 ,  5F173AQ04 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173MA05 ,  5F173MB01 ,  5F173MB05 ,  5F173MC01 ,  5F173MC12 ,  5F173MD16 ,  5F173MD62 ,  5F173MD64 ,  5F173MD65

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260161   出願人：ローム株式会社
• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-198783   出願人：ソニー株式会社