特許
J-GLOBAL ID：200903076903041732
半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198783
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040051
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】レーザ光出射端面への物質成膜を抑制し、レーザの寿命特性を向上させることができるようにした半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】レーザチップ20を搭載した支持体31に、レーザチップ20の発振波長よりも短波長のエネルギービームEBを照射する。このエネルギービームEBによる光分解および酸化によって、支持体31の全体から、レーザチップ20を支持体31に装着する際に用いられた粘着シートなどに由来する粘着物83が除去または変質させられる。エネルギービームEBとしては、例えば、レーザ光または紫外線を用いることが好ましい。また、レーザチップ20を搭載した支持体31にプラズマを照射し、プラズマによるイオンクリーニング効果によって粘着物83を除去するようにしてもよい。照射後には、支持体31に蓋体を配設し、外部から遮断する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
レーザチップおよびこのレーザチップを搭載した支持体を含む半導体デバイスの製造方法であって、
前記レーザチップを搭載した支持体に、前記レーザチップの発振波長よりも短波長のエネルギービームを照射する工程を含む
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/02
, H01S5/022
, H01S5/323
H01S5/02
, H01S5/022
, H01S5/323 610
5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073DA35
, 5F073EA28
, 5F073FA06
, 5F073FA15
, 5F073FA29
, 5F073FA30
