特許

J-GLOBAL ID：200903060120043577

太陽電池およびその製造方法

発明者： 森川 浩昭
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005008602
公開番号（公開出願番号）：WO2006-120735
出願日： 2005年05月11日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：

半導体基板の受光面に形成される上記半導体基板とは逆型の半導体層と、上記受光面とは反対の裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極と、上記裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極とは電気的に絶縁する上記半導体基板とは同型の電極と、上記受光面の半導体層と上記裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極とを電気的に接続する上記受光面の半導体層とは同型の半導体層と、を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板の受光面に形成される上記半導体基板とは逆型の半導体層と、 上記受光面とは反対の裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極と、 上記裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極とは電気的に絶縁する上記半導体基板とは同型の電極と、 上記受光面の半導体層と上記裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極とを電気的に接続する上記受光面の半導体層とは同型の半導体層と、 を備えることを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (19件)：

5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB22 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051EA11 ,  5F051EA15 ,  5F051EA17 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051HA03 ,  5F051JA03 ,  5F051JA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238095   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053782   出願人：三菱電機株式会社