特許
J-GLOBAL ID：200903060130139718
電界救済特性を有するトレンチ型MOSFET
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹沢 荘一
, 中馬 典嗣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-506063
公開番号（公開出願番号）：特表2005-526392
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 ドレイン・ソース遮断電流の漏洩を防ぎ、絶縁破壊電圧を上昇させたトレンチ型MOSFET、およびこの製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチ型MOSFETにおいて、この絶縁破壊電圧を上昇させるためにベース領域よりも下方に、電界救済領域を設ける。
請求項（抜粋）：
基板と、
第1の導電型の共通導電領域と、
前記共通導電領域上に、第1の深さを有するように形成された第2の導電型のチャンネル領域と、
前記第1の深さよりも下方に延びるように形成され、各トレンチは、少なくとも1つの側壁上に位置するゲート絶縁層を含み、かつ導電性のゲート材料により充填されるようになっている複数のトレンチと、
前記チャンネル領域の上方に形成された、前記第1の導電型の複数の導電領域と、
前記共通導電領域内にあって前記第1の深さよりも下方において形成され、前記第2の導電型を有し、かつ少量のドーパントを含む複数の電界救済領域とを備えるMOSゲート装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658A
