特許
J-GLOBAL ID：200903060147033530
酸化物超伝導体ジョセフソン接合素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145540
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331084
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】格子整合トンネルバリア絶縁体層を使用することにより、超伝導体薄膜/トンネルバリア絶縁体層/超伝導体薄膜の界面に発生する格子不整合に起因する超伝導体薄膜へのストレスの低減、さらには超伝導特性の劣化を軽減できる酸化物超伝導体ジョセフソン接合素子構造を提供する。【解決手段】a軸が基板主面に対して配向し、かつ、c軸が膜面内で配向している第1のLnBa2Cu3Ox(Ln:Yおよびランタニド元素のうちの少なくとも1種の元素)で示される組成の酸化物超伝導体薄膜と、Ln′2CuO4(Ln′:ランタニド元素)で示される組成の絶縁体薄膜と、a軸が基板主面に対して配向し、かつ、c軸が膜面内で配向している第2のLnBa2Cu3Oxで示される組成の酸化物超伝導体薄膜とを、基板側より順次積層して酸化物超伝導体ジョセフソン接合素子とする。
請求項（抜粋）：
a軸が基板主面に対して配向し、かつ、c軸が膜面内で配向している第1のLnBa2Cu3Ox(Ln:Yおよびランタニド元素のうちの少なくとも1種の元素)で示される組成の酸化物超伝導体薄膜と、Ln′2CuO4(Ln′:ランタニド元素)で示される組成の絶縁体薄膜と、a軸が基板主面に対して配向し、かつ、c軸が膜面内で配向している第2のLnBa2Cu3Ox(Ln:Yおよびランタニド元素のうちの少なくとも1種の元素)で示される組成の酸化物超伝導体薄膜とを、基板側より順次積層してなることを特徴とする酸化物超伝導体ジョセフソン接合素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/24 ZAA J
