特許
J-GLOBAL ID:200903060258234616
光素子モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-091261
公開番号(公開出願番号):特開2004-301874
出願日: 2003年03月28日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】電界吸収型光変調器に供給される変調電気信号の立ち上がり・立下り時に生じる、電界吸収型光変調器の出力光の波長チャープを低減させることを目的とする。【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザの出力光を強度変調する電界吸収型光変調器と、一対の差動信号を出力する駆動回路とを備えて、一対の差動信号の一方を電界吸収型光変調器に供給し、一対の差動信号の他方を半導体レーザに供給することにより、半導体レーザの持つチャープ特性で電界吸収型光変調器の持つチャープ特性を相殺する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体レーザと、
上記半導体レーザの出力光を強度変調する電界吸収型光変調器と、
一対の差動信号を出力する駆動回路と、
上記駆動回路から出力された一対の差動信号の一方を、上記電界吸収型光変調器に供給する第1の信号線路と、
上記駆動回路から出力された一対の差動信号の他方を、上記半導体レーザに供給する第2の信号線路とを備えた光素子モジュール。
IPC (3件):
G02F1/015
, H01S5/022
, H01S5/026
FI (3件):
G02F1/015 502
, H01S5/022
, H01S5/026 616
Fターム (13件):
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079FA02
, 2H079HA11
, 2H079KA11
, 2H079KA18
, 5F073AA64
, 5F073AB21
, 5F073BA02
, 5F073EA03
, 5F073GA24
引用特許:
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