特許
J-GLOBAL ID：200903060268144356

半導体装置の製造方法

発明者：
安田 直世

安田 直世 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-267387
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081153
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】表面ボイドが発生するのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に複数の半導体チップ4,6を配列する工程と、基板1上に金型8を被せ、基板1と金型8の間のキャビティ9に樹脂を注入して、複数の半導体チップ4,6を一括して樹脂封止する工程と、基板1及び樹脂を半導体チップ4,6毎に切断する工程とを有し、金型8の一辺に樹脂を注入するための樹脂注入ゲート10が形成され、金型8の一辺に対向する辺に空気を抜くためのエアベントが形成され、樹脂注入ゲート10が形成された辺からエアベントが形成された辺に向かう方向が樹脂注入方向であり、金型8は、樹脂注入方向に沿って延在する半導体チップ4,6間樹脂注入経路で、かつ製品領域外において、下方に伸びる金型突起8a、8b、8cを有し、金型突起8a、8b、8cと基板1との間隔が、樹脂の最大の厚みの1/2より小さくなるようにする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に複数の半導体チップを配列する工程と、 前記基板上に金型を被せ、前記基板と前記金型の間のキャビティに樹脂を注入して、前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止する工程と、 前記基板及び前記樹脂を半導体チップ毎に切断する工程とを有し、 前記金型の一辺に前記樹脂を注入するための樹脂注入ゲートが形成され、 前記金型の前記一辺に対向する辺に空気を抜くためのエアベントが形成され、 前記樹脂注入ゲートが形成された辺から前記エアベントが形成された辺に向かう方向が樹脂注入方向であり、 前記金型は、前記樹脂注入方向に沿って延在する半導体チップ間樹脂注入経路で、かつ製品領域外において、キャビティ内に伸びる金型突起を有し、 前記金型突起の真下における前記樹脂の厚みが、前記キャビティ内樹脂の最大の厚みの1/2より小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/56
FI (1件)：
H01L21/56 T
Fターム (4件)：
5F061AA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA07 ,  5F061DA08
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-298941   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-301952   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
  • 半導体素子樹脂封止用金型
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326463   出願人：ソニー株式会社

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