特許
J-GLOBAL ID：200903060288134357
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077197
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトの底面がエッチング雰囲気に曝される回数を1回にし、基板面のダメージや基板掘れを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 素子分離領域、半導体素子が形成済の半導体基板101上に、シリコン窒化膜による第1の絶縁膜102が設けられる。この第1の絶縁膜102上に、層間膜としての第2の絶縁膜103、導電層104、層間膜としての第3の酸化膜105を順次形成する。第3の絶縁膜105、導電層104、第2の絶縁膜103、及び第1の絶縁膜102を貫通し且つ半導体基板101に接するようにコンタクト穴106が形成され、導電層104のコンタクト穴106の内面に露出する部分を酸化して酸化膜107が形成される。さらに、コンタクト穴106に面した第1の絶縁膜102がエッチングにより除去される。
請求項（抜粋）：
半導体素子及び素子分離領域が形成されている半導体基板の表面に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に層間膜としての第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜上に導電層を形成し、前記導電層上に層間膜としての第3の絶縁膜を形成し、前記第3の絶縁膜、前記導電層、及び前記第2の絶縁膜を貫通し、かつ前記第1の絶縁膜の表面に達するようにコンタクト穴を形成し、前記導電層の前記コンタクト穴の内面に露出する部分を酸化させて酸化膜を形成し、前記半導体基板の表面が露出するまで前記コンタクト穴の底部に位置する前記第1の絶縁膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 C
, H01L 27/10 621 Z
