特許

J-GLOBAL ID：200903060295886739

半導体装置およびその製造方法

発明者： 村 岡 浩 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-020942
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210658
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 半導体層とゲート絶縁膜との熱的反応、並びに、ゲート電極とゲート絶縁膜との熱的反応を抑制し、リーク電流が少なく、かつ、EOTが低いゲート絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、酸化物の生成自由エネルギーがΔGSである元素を含む半導体層10上に、酸化物の生成自由エネルギーがΔGIである元素を含むゲート絶縁膜用の第1の材料20を形成し、ΔGSがΔGI以上であるような温度範囲で、水素原子または重水素原子および酸素原子を含む雰囲気中において第1の材料を熱処理することを具備している。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

酸化物になるために必要な第1の酸化物生成自由エネルギーを有する半導体材料を含む半導体層上に、酸化物になるために必要な第2の酸化物生成自由エネルギーを有しかつ酸化または窒化することによって絶縁性を有する元素を含むゲート絶縁膜用の第1の材料を形成し、 前記第1の酸化物生成自由エネルギーが前記第2の酸化物生成自由エネルギー以上であるような温度範囲で、水素原子または重水素原子および酸素原子を含む雰囲気中において前記第1の材料を熱処理することを具備した半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/316 C ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T

Fターム (57件)：

5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BB16 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF38 ,  5F140BG27 ,  5F140BG42

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245924   出願人：松下電器産業株式会社, 小林光
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-330399   出願人：株式会社東芝