特許
J-GLOBAL ID：200903092248005740

半導体装置の製造方法

発明者：
小林 光

小林 光 について

, 
米田 健司

米田 健司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について

, 
小林 光

小林 光 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245924
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057154
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 高温加熱を用いずに絶縁膜の膜質を改善し、特性が良好な半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体膜11上に第1の絶縁膜12を形成する第1の工程と、第1の絶縁膜12上に酸素透過機能を有する金属膜13を形成する第2の工程と、金属膜13が形成された半導体膜11を酸化雰囲気中で加熱することによって半導体膜11のうち第1の絶縁膜12側の一部を酸化して絶縁酸化膜14を形成し第1の絶縁膜12よりも膜厚が厚い第2の絶縁膜15を形成する第3の工程と、金属膜13と第2の絶縁膜15の一部とをエッチングすることによって第2の絶縁膜15よりも膜厚が薄い第3の絶縁膜16を形成する第4の工程とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体膜上に第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の絶縁膜上に酸素透過機能を有する金属膜を形成する第2の工程と、前記金属膜が形成された前記半導体膜を酸化雰囲気中で加熱することによって前記半導体膜のうち前記第1の絶縁膜側の一部を酸化して絶縁酸化膜を形成し、前記第1の絶縁膜よりも膜厚が厚い第2の絶縁膜を形成する第3の工程と、前記金属膜と前記第2の絶縁膜の一部とをエッチングすることによって前記第2の絶縁膜よりも膜厚が薄い第3の絶縁膜を形成する第4の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/94
FI (5件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/94 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (27件)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F040DC03 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040FA05 ,  5F040FB02 ,  5F040FC11 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BB01 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BH01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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