高周波スイッチ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056941
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261396
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】誤動作が可及的に少ないインバータ回路を内蔵した、歪みのない高周波スイッチ装置の提供。【解決手段】受信側の伝送経路をON、OFFする第1のFETと、送信側の伝送経路をON、OFFする第2のFETと、制御信号が入力される少なくとも1個の制御信号入力端子とを有するSPDTスイッチ回路10と、FETから構成されるインバータ54と、このインバータの後段に設けられてインバータのハイレベルとローレベルの遷移領域を小さくする、FETから構成されるプッシュプル回路56と、インバータの前段に設けられて、インバータおよびプッシュプル回路のFETのゲートに印加されるゲート電圧の最大値がショットキー電圧を超えないようにゲート電圧をレベルシフトする,FETから構成されるソースフォロア回路52と、ソースフォロア回路に接続された入力端子INと、プッシュプル回路に接続された出力端子110と、を有するインバータ回路部50と、を備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

受信側の伝送経路をON、OFFする第1のFETと、送信側の伝送経路をON、OFFする第2のFETと、制御信号が入力される少なくとも1個の制御信号入力端子とを有するSPDTスイッチ回路と、FETから構成されるインバータと、このインバータの後段に設けられて前記インバータのハイレベルとローレベルの遷移領域を小さくする、FETから構成されるプッシュプル回路と、前記インバータの前段に設けられて、前記インバータおよび前記プッシュプル回路のFETのゲートに印加されるゲート電圧の最大値がショットキー電圧を超えないように前記ゲート電圧をレベルシフトする、FETから構成されるソースフォロア回路と、前記ソースフォロア回路に接続された入力端子と、前記プッシュプル回路に接続された出力端子と、を有するインバータ回路部と、を備えていることを特徴とする高周波スイッチ装置。

IPC (2件)：

H03K 17/693 , H04B 1/44

FI (2件)：

H03K 17/693 A , H04B 1/44

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-193299 出願人：住友電気工業株式会社
特開平2-166829
特開昭59-231920

全件表示

前のページに戻る