特許

J-GLOBAL ID：200903060330835310

酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法

発明者： 羽田 肇 ,  萩野 剛士 ,  安達 裕 ,  坂口 勲 ,  大橋 直樹
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228168
公開番号（公開出願番号）：特開2003-041362
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 スパッタ法により結晶方位のそろった酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜を作製すること。【解決手段】 酸化亜鉛基ホモロガス化合物に対応した(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)の組成を持つ多結晶焼結体をターゲットとして用い、酸素ガスとアルゴンガスの2種類のガスをともに含む雰囲気でのスパッタ法によって、アルミナ(0001)基板上に成膜し、成膜後、特に熱処理を施すこと無しに、X線極点図形、および、電子線回折、高分解能透過電子顕微鏡観察によって、結晶方位のC軸が膜厚方向に配向したヘテロエピタキシャル薄膜であることが確認しうるC軸配向したホモロガス相(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)を得る。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛基ホモロガス化合物に対応した(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)の組成を持つ多結晶焼結体をターゲットとして用い、酸素ガスとアルゴンガスの2種類のガスをともに含む雰囲気でのスパッタ法によって、アルミナ(0001)基板上に成膜し、成膜後、特に熱処理を施すこと無しに、X線極点図形、および、電子線回折、高分解能透過電子顕微鏡観察によって、結晶方位のC軸が膜厚方向に配向したヘテロエピタキシャル薄膜であることが確認しうるC軸配向したホモロガス相(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)を得ることを特徴とする酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法。

IPC (2件)：

C23C 14/08 ,  H01B 1/08

FI (2件)：

C23C 14/08 K ,  H01B 1/08

Fターム (17件)：

4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA01 ,  4K029GA01 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA27 ,  5G301CD02 ,  5G301CD07 ,  5G301CD10 ,  5G301CE01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-018479   出願人：ホーヤ株式会社, 神奈川県