特許
J-GLOBAL ID：200903060367854403
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246092
公開番号（公開出願番号）：特開2004-086986
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】MRAMのライト動作は、MTJ素子の磁化反転に必要な電流をデータ線に流さなければならないため、消費電流が大きい。【解決手段】ライト動作の際にデータエンコーダWCにより、メモリセルアレイから読み出した読み出しデータGOと比較して、入力データDIをエンコードして書き込みデータGIとし、読み出しデータGOをデータデコーダRDによりデコードして出力データDOとする。【効果】データ線に電流を流すことによりメモリセルにデータを書き込む不揮発性半導体メモリにおいて、ライト動作の際に書き込みを行うビット数を低減することにより、消費電流を低減できる。それにより、低電力で高集積なメモリを有するMRAMが実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、
複数のメモリセルを含むメモリアレイと、
前記複数のメモリセルから選択された複数のメモリセルの読み出しデータと比較して、入力データをエンコードして書き込みデータとするデータエンコーダと、
前記読み出しデータをデコードするデータデコーダとを有する半導体装置。
IPC (5件)：
G11C11/15
, G11C13/00
, H01L27/10
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 140
, G11C13/00 A
, H01L27/10 451
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA06
, 5F083LA07
, 5F083LA10
, 5F083LA16
審査官引用 (3件)
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入出力装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-282497
出願人：株式会社東芝
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特開平4-213146
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半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-131838
出願人：三菱電機株式会社
引用文献：
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