特許
J-GLOBAL ID:200903060371434737

浅い溝埋込み分離処理のための高選択性スラリー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-004257
公開番号(公開出願番号):特開平10-233378
出願日: 1998年01月12日
公開日(公表日): 1998年09月02日
要約:
【要約】【課題】 STI平面化のための費用の掛からない一段階CMP法を提供する。【解決手段】 本発明は、半導体装置の化学的機械的研磨に際し、浅い溝埋込み分離処理のための改良されたスラリーに関する。酸化物/窒化物選択性は、スラリーのpHを上昇すること、スラリーの固体含有量を上昇すること、及び(又は)スラリーへフッ化物塩を添加することにより向上する。これらの修正により、10:1より大きな選択性を得ることができる。
請求項(抜粋):
スラリーに塩基を混合してアルカリ性化スラリーを形成する方法により生成させた、浅い溝埋込み分離処理のためのアルカリ性化スラリーにおいて、前記塩基が、得られたアルカリ性化スラリーのpHを11〜13の範囲内に維持するのに充分な量で与えられている、アルカリ性化スラリー。
IPC (4件):
H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/76
FI (4件):
H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/76 L
引用特許:
審査官引用 (2件)

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