特許

J-GLOBAL ID：200903060380010532

多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法

発明者： 笑喜 勉 ,  細谷 守男
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222764
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 リソグラフィの際のパターン転写を高精度に行うことができる、極めて高い平坦度の多層膜表面をもったEUV光にも適用可能な露光用反射型マスクを提供する。【解決手段】 基板11の反りと多層膜12の有する応力とにより形成される前記多層膜表面の反りを補正するために、応力補正膜15を成膜し前記の反りを補正することで極めて高い平坦度の多層膜表面を得た。この極めて高い平坦度の多層膜表面を有するマスクブランクを製作し、さらにこのマスクブランクをドライエッチングすることでEUV光にも適用可能な露光用反射型マスクを製作した。

請求項（抜粋）：

基板上にEUV光を反射する多層膜を有し、前記多層膜上に前記EUV光を吸収する光吸収層を有するEUV露光用反射型マスクブランクであって、前記多層膜表面の平坦度が100nm以下であることを特徴とするEUV露光用反射型マスクブランク。

IPC (8件)：

H01L 21/027 ,  G02B 5/00 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/22 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503

FI (8件)：

G02B 5/00 B ,  G02B 5/08 A ,  G02B 5/22 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  G03F 1/16 A ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (34件)：

2H042AA15 ,  2H042AA25 ,  2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DA15 ,  2H042DA22 ,  2H042DB02 ,  2H042DE00 ,  2H048CA05 ,  2H048CA13 ,  2H048CA17 ,  2H048CA24 ,  2H048CA29 ,  2H048FA05 ,  2H048FA09 ,  2H048FA18 ,  2H048FA22 ,  2H048FA24 ,  2H048GA04 ,  2H048GA11 ,  2H048GA24 ,  2H048GA33 ,  2H048GA61 ,  2H095BA01 ,  2H095BA10 ,  2H095BC24 ,  2H095BC26 ,  2H097CA15 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046GB01 ,  5F046GD05 ,  5F046GD10 ,  5F046GD16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造プロセス用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-198337   出願人：三菱電機株式会社, 株式会社日立製作所
• 反射マスク基板のコーティング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-501941   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア