特許
J-GLOBAL ID:200903045591137653

反射マスク基板のコーティング

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉武 賢次 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-501941
公開番号(公開出願番号):特表2003-501823
出願日: 2000年06月06日
公開日(公表日): 2003年01月14日
要約:
【要約】1)欠陥精査、表面仕上げおよび欠陥レベルを改善するために、低熱膨張性物質EUVLマスク基板の片側または両側でコーティング;および2)静電チャッキングを促して、マスク基板の他の付着コーティングまたは多層膜コーティングで生じた応力アンバランスによるたわみを直すために、裏面側で高誘電性コーティングを施すことからなる、マスク基板を作製するための方法。TaSiのような膜も、応力のバランスをとるために、物質コーティング前に低熱膨張性物質の表面側および/または裏面に付着させてよい。シリコン上層およびシリコンおよび/または他の導電性下層を形成した低熱膨張性物質は、欠陥精査および応力バランシングを改善することができる。
請求項(抜粋):
低熱膨張性物質から構成されてなる基板、 前記基板の表面側に少くとも1つの物質層、および 前記基板の裏面側に少くとも1つの物質層を含んでなるマスク基板。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (3件):
G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (2件):
2H095BA07 ,  2H095BC24
引用特許:
審査官引用 (14件)
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引用文献:
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