特許

J-GLOBAL ID：200903060397267243

アバランシェフォトダイオード

発明者： 渡邊 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-189474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022197
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 簡易な素子構造で、ギガビット応答・高信頼性なアバランシェフォトダイオード(APD)を実現する。【解決手段】 半導体基板11上に、n型半導体バッファ層12と、半導体増倍層13と、p型半導体電界緩和層14と、p型半導体光吸収層と、p型半導体キャップ層17と、p型半導体コンタクト層18とからなる積層構造を有するアバランシェフォトダイオードにおいて、該p型半導体光吸収層が、該p型半導体電界緩和層14に隣接する厚さ10nm以上0.3μm以下の空乏化領域15と、これに隣接する厚さ2μm以下の非空乏化領域16の2層から構成されることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1導電型半導体バッファ層と、半導体増倍層と、第2導電型半導体電界緩和層と、第2導電型半導体光吸収層と、第2導電型半導体キャップ層と、第2導電型半導体コンタクト層とからなる積層構造を有するアバランシェフォトダイオードにおいて、前記第2導電型半導体光吸収層が、前記第2導電型半導体電界緩和層に隣接する厚さ10nm以上0.3μm以下の空乏化領域と、さらにこれに隣接する厚さ2μm以下の非空乏化領域の2層から構成されることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。

Fターム (11件)：

5F049AA09 ,  5F049AB07 ,  5F049BA01 ,  5F049BA03 ,  5F049BB01 ,  5F049DA02 ,  5F049DA03 ,  5F049DA06 ,  5F049DA11 ,  5F049FA11 ,  5F049HA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-306200   出願人：日本電気株式会社
• アバランシェフォトダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-024201   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-111465   出願人：三菱電機株式会社