特許
J-GLOBAL ID：200903060407031146

半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス

発明者：
酒井 啓太

酒井 啓太 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 岸田 正行 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111586
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 被露光基板から発生するガスにより投影光学系が汚染される。【解決手段】 投影光学系6からの露光光17により半導体基板10を露光する半導体製造用露光装置において、投影光学系と基板との間に、露光光を通過させるための開口を有した光学系汚染防止用遮蔽部材14を設け、さらにこの遮蔽部材を帯電させる。
請求項（抜粋）：
投影光学系からの露光光により半導体基板を露光する半導体製造用露光装置において、前記投影光学系と前記基板との間に、露光光を通過させるための開口を有した遮蔽部材を設けるとともに、この遮蔽部材を帯電させたことを特徴とする半導体製造用露光装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (2件)：
H01L 21/30 515 E ,  G03F 7/20 521
引用特許：
審査官引用 (3件)

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