特許
J-GLOBAL ID：200903060427491224
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115402
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306875
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は大口径のウェーハを研削して薄型化する半導体装置の製造方法に関し、製造歩留り及びスループットの向上を図ることを課題とする。【解決手段】 ウェーハ30の表面に保護テープ32を貼り付け(ステップS20)、ウェーハ30をウェーハフレーム34に張設されたダイシングテープ36に保護テープ32を介して貼り付ける(ステップS22)。ダイシングテープ36にウェーハ30が貼り付けられた状態で、ウェーハ30の背面を研削する(ステップS24)。その後、ダイシングテープ36にウェーハ30が貼り付けられた状態でウェーハ30をフルダイシングして半導体装置を形成する(ステップS26)。
請求項（抜粋）：
回路が形成された表面と該表面の反対側の背面とを有するウェーハを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記ウェーハの表面に保護テープを貼り付ける保護テープ貼り付け工程と、前記ウェーハより径の大きいウェーハフレームが周囲に設けられたダイシングテープに前記ウェーハを前記保護テープを介して貼り付けるフレーム取り付け工程と、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハの背面を研削する研削工程と、前記研削工程が終了した後に、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハをフルダイシングして前記半導体装置を形成するダイシング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 631
, H01L 21/68
H01L 21/304 631
, H01L 21/68 N
, H01L 21/68 T
, H01L 21/68 E
5F031CA02
, 5F031DA13
, 5F031HA13
, 5F031JA06
, 5F031MA22
, 5F031MA34
, 5F031MA35
, 5F031MA37
, 5F031MA40
, 5F031PA18
