シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：落合稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193194
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232060
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】スリップが無くしかも膜厚分布および抵抗率分布に優れたSiエピタキシャル基板を製造するSiエピタキシャル層成長技術を提供する。【構成】チャンバの幅方向に複数配列されたインジェクタから同時かつ平行に反応ガスを吹き出させ、前記チャンバ内のサセプタ上に保持されたシリコン基板の主面上にエピタキシャル層を成長させるにあたり、サセプタを回転させるとともに、シリコンソースの質量流量、ドーパントの質量流量および水素の質量流量の少なくとも1つを前記チャンバの幅方向中央部側と周辺部側とで適宜変化させた反応ガスを、前記複数のインジェクタから吹き出させるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

チャンバの幅方向に複数配列されたインジェクタから同時かつ平行に反応ガスを吹き出させ、前記チャンバ内のサセプタ上に保持されたシリコン基板の主面上にエピタキシャル層を成長させるにあたり、サセプタを回転させるとともに、シリコンソースの質量流量、ドーパントの質量流量および水素の質量流量の少なくとも1つを前記チャンバの幅方向中央部側と周辺部側とで適宜変化させた反応ガスを、前記複数のインジェクタから吹き出させるようにしたことを特徴とするシリコンエピタキシャル層の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 25/14 , C30B 25/16 , C30B 29/06 504

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-096324
特開平1-140712
特開平2-205316

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