特許

J-GLOBAL ID：200903060505380906

縦型構造複合半導体装置

発明者： ユー,ミュング チェオル
出願人/特許権者： ユー,ミュング チェオル
代理人 (5件)： 廣江 武典 ,  武川 隆宣 ,  ▲高▼荒 新一 ,  中村 繁元 ,  西尾 務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-515072
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526618
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。1例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。1例では縦型構造体はGaN型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造LEDの製造が含まれる。

請求項（抜粋）：

縦型構造光学電子装置の製造方法であって、 結晶基板上に複数の縦型光学電子装置を形成するステップと、 レーザリフトオフ処理によって該基板を取り除くステップと、 該基板の代わりに金属支持構造体を形成するステップと、 を含んで成ることを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/20

Fターム (41件)：

4M104AA04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA84 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN02 ,  5F152LN03 ,  5F152LN12 ,  5F152LN27 ,  5F152LN29 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152LP06 ,  5F152LP07 ,  5F152MM03 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152NN13 ,  5F152NN19 ,  5F152NP09 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-089440   出願人：パイオニア株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-174438   出願人：東京エレクトロン株式会社