特許
J-GLOBAL ID：200903060592517165

半導体光触媒

発明者：
佐山 和弘

佐山 和弘 について

, 
荒井 健男

荒井 健男 について

, 
小西 由也

小西 由也 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-033160
公開番号（公開出願番号）：特開2009-189952
出願日： 2008年02月14日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】光吸収効率が著しく向上し光触媒活性に優れ、しかもその調製法も簡便な半導体光触媒を提供する。【解決手段】少なくとも光を閉じこめる二次構造を有する半導体光触媒であって、当該二次構造は、半導体光触媒前駆体溶液の過酸化物の存在下での加熱分解により形成されたものである半導体光触媒。過酸化物が過酸化水素である上記半導体光触媒。半導体光触媒がチタン、タングステン、ビスマス、モリブデン、ニッケル、バナジウム、鉄及びインジウムの少なくとも一つの元素を含む半導体光触媒。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも光を閉じこめる二次構造を有する半導体光触媒であって、当該二次構造は、半導体光触媒前駆体溶液の過酸化物の存在下での加熱酸化分解により形成されたものであり、その二次構造が保持されていることを特徴とする可視光応答性の半導体光触媒。
IPC (2件)：
B01J 35/02 ,  B01D 53/86
FI (3件)：
B01J35/02 J ,  B01D53/36 J ,  B01D53/36 G
Fターム (43件)：
4D048AA17 ,  4D048AB01 ,  4D048BA07X ,  4D048BA17X ,  4D048BA22X ,  4D048BA23X ,  4D048BA26X ,  4D048BA27X ,  4D048BA35X ,  4D048BA36X ,  4D048BA38X ,  4D048BB01 ,  4D048EA01 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169BB04B ,  4G169BC18A ,  4G169BC18B ,  4G169BC25A ,  4G169BC25B ,  4G169BC31B ,  4G169BC59A ,  4G169BC59B ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC68A ,  4G169BC68B ,  4G169EA01X ,  4G169EA08 ,  4G169HA02 ,  4G169HB01 ,  4G169HB06 ,  4G169HC02 ,  4G169HC03 ,  4G169HC26 ,  4G169HD03 ,  4G169HD06 ,  4G169HE03
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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