特許
J-GLOBAL ID：200903060606467867

パターン形成方法

発明者：
川村 浩一

川村 浩一 について

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中山 隆雄

中山 隆雄 について

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加納 丈嘉

加納 丈嘉 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-267054
公開番号（公開出願番号）：特開2003-076004
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 複雑な工程や高価な装置を必要とせず、高感度で高解像度の微細なパターンが得られ、赤外線レーザ等によりデジタルデータからパターン形成が可能な、応用範囲の広いパターン形成方法を提供する。【解決手段】 支持体上に、熱、酸または輻射線により親疎水性が変化する官能基を有る高分子化合物含有層を設けたパターン形成材料に、画像様に加熱、酸の供給または輻射線の照射を行って親疎水性を変化させる受容パターン形成工程と、画像様の受容パターン上に該パターンと親和性を有する流動体を局所的に適用して吸着させ吸着層を形成する吸着層形成工程と、を有する。流動体の局所的な適用は、流動体を吐出可能なインクジェット式記録ヘッドのノズル穴から吐出させることにより行うことが好ましい。
請求項（抜粋）：
支持体上に、熱、酸または輻射線により親疎水性が変化する官能基を有る高分子化合物含有層を設けたパターン形成材料に、画像様に加熱、酸の供給または輻射線の照射を行って、該層の親疎水性を変化させる受容パターン形成工程と、該画像様の受容パターン上に該受容パターンと親和性を有する流動体を局所的に適用して吸着させ吸着層を形成する吸着層形成工程と、を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/004 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/004 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 501
Fターム (19件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB15 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BH03 ,  2H025CB41 ,  2H025FA23 ,  2H025FA39 ,  2H096AA27 ,  2H096BA20 ,  2H096EA04 ,  2H096EA23 ,  2H096GA48 ,  2H096GA60 ,  5F046AA28 ,  5F046BA07
引用特許：
審査官引用 (7件)
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